Infineon HEXFET Daya MOSFET N Saluran 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF
Infineon HEXFET Power MOSFET
,MOSFET N Channel 55V 30A
,55V 30A HEXFET Power MOSFET
IRLR3915TRPBF Infineon Technologies/Penyearah Internasional IOR HEXFET MOSFET N-Channel 55V 30A DPAK Produk Semikonduktor Diskrit
N-Channel 55 V 30A (Tc) 120W (Tc) Pemasangan Permukaan D-Pak
Keterangan
HEXFET® Power MOSFET ini menggunakan teknik pemrosesan terbaru untuk mencapai resistansi yang sangat rendah per area silikon.
Fitur tambahan dari produk ini adalah suhu pengoperasian sambungan 175 °C, kecepatan peralihan yang cepat, dan peringkat longsoran berulang yang ditingkatkan.Fitur-fitur ini digabungkan untuk membuat desain ini menjadi perangkat yang sangat efisien dan andal untuk digunakan dalam berbagai macam aplikasi.
Fitur :
Teknologi Proses Canggih Daya Tahan Sangat Rendah 175 °C Suhu Pengoperasian Peralihan Cepat Longsoran Berulang Diperbolehkan hingga Tjmax D-Pak IRLR3915PbF I-Pak IRLU3915PbF Lea
Spesifikasi Teknis Produk
Nomor bagian | IRLR3915TRPBF |
Nomor bagian dasar | IRLR3915 |
RoHS Uni Eropa | Sesuai dengan Pengecualian |
ECCN (AS) | EAR99 |
Status Bagian | Aktif |
HTS | 8541.29.00.95 |
Kategori
|
Produk Semikonduktor Diskrit
|
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
|
|
Mfr
|
Teknologi Infineon
|
Seri
|
HEXFET®
|
Kemasan
|
Pita & Gulungan (TR)
|
Status Bagian
|
Aktif
|
Tipe FET
|
N-Saluran
|
Teknologi
|
MOSFET (Oksida Logam)
|
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss)
|
55 V
|
Arus - Drain Terus Menerus (Id) @ 25°C
|
30A (Tc)
|
Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
|
5V, 10V
|
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
|
14mOhm @ 30A, 10V
|
Vgs(th) (Maks) @ Id
|
3V @ 250µA
|
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
|
92 nC @ 10 V
|
Vgs (Maks)
|
±16V
|
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
|
1870 pF @ 25 V
|
Fitur FET
|
-
|
Disipasi Daya (Maks)
|
120W (Tc)
|
Suhu Operasional
|
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
|
Jenis pemasangan:
|
Permukaan gunung
|
Paket Perangkat Pemasok
|
D-Pak
|
Paket / Kasus
|
TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63
|
Nomor Produk Dasar
|
IRLR3915
|