IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Daya MOSFET IRFB7440PBF 40V 120A
100V 130A FET HEXFET Daya MOSFET
,IRFB4310PBF
,IRFB7440PBF
IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A Transistor TO-220AB HEXFET FETs MOSFET
Transistor N-Channel 180A 200W Melalui Lubang TO-220AB HEXFET FETs MOSFET
---IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150v 104A
Keterangan:
HEXFET® Power MOSFET ini menggunakan teknik pemrosesan terbaru untuk mencapai resistansi yang sangat rendah per area silikon.
Fitur tambahan dari produk ini adalah suhu pengoperasian sambungan 175 °C, kecepatan peralihan yang cepat, dan peringkat longsoran berulang yang ditingkatkan.Fitur-fitur ini digabungkan untuk membuat desain ini menjadi perangkat yang sangat efisien dan andal untuk digunakan dalam berbagai macam aplikasi.
N-Channel 180A (Tc) 200W (Tc) Melalui Lubang TO-220AB Spesifikasi:
|
Kategori
|
Produk Semikonduktor Diskrit
|
|
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
|
|
|
Mfr
|
Teknologi Infineon
|
|
Seri
|
HEXFET®
|
|
Kemasan
|
Tabung
|
|
Tipe FET
|
N-Saluran
|
|
Teknologi
|
MOSFET (Oksida Logam)
|
|
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss)
|
40 V
|
|
Arus - Drain Terus Menerus (Id) @ 25°C
|
180A (Tc)
|
|
Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
|
10V
|
|
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
|
3.7mOhm @ 75A, 10V
|
|
Vgs(th) (Maks) @ Id
|
4V @ 250µA
|
|
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
|
150 nC @ 10 V
|
|
Vgs (Maks)
|
±20V
|
|
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
|
4340 pF @ 25 V
|
|
Fitur FET
|
-
|
|
Disipasi Daya (Maks)
|
200W (Tc)
|
|
Suhu Operasional
|
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
|
|
Jenis pemasangan:
|
Melalui Lubang
|
|
Paket Perangkat Pemasok
|
KE-220AB
|
|
Paket / Kasus
|
KE-220-3
|
|
Nomor Produk Dasar
|
IRF1404
|
| ATRIBUT | KETERANGAN |
|---|---|
| Status RoHS | Sesuai ROHS3 |
| Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL) | 1 (Tidak Terbatas) |
| MENCAPAI Status | REACH Tidak terpengaruh |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |