Mengirim pesan
Rumah > Produk > Semikonduktor Diskrit > IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET

IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET

Kategori:
Semikonduktor Diskrit
Harga:
Negotiated
Cara Pembayaran:
T/T, Western Union
spesifikasi
Keluarga:
Produk Semikonduktor Diskrit
Kategori:
Komponen Elektronik-MOSFET (Metal Oksida)
Seri:
HEXFET MOSFET (Oksida Logam)
Nomor bagian dasar:
IRF1404
rincian:
N-Channel 180A (Tc) 200W (Tc) Melalui Lubang TO-220AB
Jenis:
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Keterangan:
MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Kemasan:
TO220
Jenis pemasangan::
Melalui Lubang
Cahaya Tinggi:

Transistor Saluran N IRF1404ZPBF

,

180A 200W HEXFET FET MOSFET

,

Transistor Saluran N 180A 200W

Perkenalan

Transistor IRF1404ZPBF N-Channel 180A 200W Melalui Lubang TO-220AB HEXFET FETs MOSFET

 

N-Channel 180A (Tc) 200W (Tc) Melalui Lubang TO-220AB Spesifikasi:

Kategori
Produk Semikonduktor Diskrit
 
Transistor - FET, MOSFET - Tunggal
Mfr
Teknologi Infineon
Seri
HEXFET®
Kemasan
Tabung
Tipe FET
N-Saluran
Teknologi
MOSFET (Oksida Logam)
Tiriskan ke Tegangan Sumber (Vdss)
40 V
Arus - Drain Terus Menerus (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Tegangan Drive (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Kapasitansi Input (Ciss) (Maks) @ Vds
4340 pF @ 25 V
Fitur FET
-
Disipasi Daya (Maks)
200W (Tc)
Suhu Operasional
-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Jenis pemasangan:
Melalui Lubang
Paket Perangkat Pemasok
KE-220AB
Paket / Kasus
KE-220-3
Nomor Produk Dasar
IRF1404

 

Keterangan

HEXFET® Power MOSFET ini menggunakan teknik pemrosesan terbaru untuk mencapai resistansi yang sangat rendah per area silikon.

Fitur tambahan dari produk ini adalah suhu pengoperasian sambungan 175 °C, kecepatan peralihan yang cepat, dan peringkat longsoran berulang yang ditingkatkan.Fitur-fitur ini digabungkan untuk membuat desain ini menjadi perangkat yang sangat efisien dan andal untuk digunakan dalam berbagai macam aplikasi.

 

Klasifikasi Lingkungan & Ekspor
ATRIBUT KETERANGAN
Status RoHS Sesuai ROHS3
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL) 1 (Tidak Terbatas)
MENCAPAI Status REACH Tidak terpengaruh
ECCN EAR99
HTSUS

8541.29.0095

 

Nomor bagian IRF1404ZPBF
Nomor bagian dasar IRF1404
RoHS Uni Eropa Sesuai dengan Pengecualian
ECCN (AS) EAR99
Status Bagian Aktif
HTS 8541.29.00.95

 

 

IRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFETIRF1404ZPBF N Channel Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET

 

 

Kirim RFQ
Saham:
MOQ:
10pieces