Mengirim pesan
Rumah > Produk > Semikonduktor Diskrit > N Channel Transistor Semikonduktor Diskrit MOSFET Daya SIHF10N40D-E3

N Channel Transistor Semikonduktor Diskrit MOSFET Daya SIHF10N40D-E3

Kategori:
Semikonduktor Diskrit
Harga:
Negotiated
Cara Pembayaran:
T/T, Western Union
spesifikasi
rincian:
Transistor MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Jenis:
Transistor - MOSFET Daya
Keluarga:
Produk Semikonduktor Diskrit-Rectifier
Kategori:
Komponen elektronik
Nomor bagian dasar:
SIHF10N40
Modus Saluran:
Peningkatan
Kemasan:
TO220
Jenis pemasangan::
Melalui Lubang
Cahaya Tinggi:

MOSFET Daya SIHF10N40D-E3

,

Transistor Saluran N

,

Semikonduktor Diskrit SIHF10N40D-E3

Perkenalan

MOSFET daya SIHF10N40D-E3 transistor saluran N beroperasi dalam mode peningkatan
 
Disipasi daya maksimum SIHF10N40D-E3 Vishay adalah 33000 mW.Transistor MOSFET saluran N ini beroperasi dalam mode peningkatan.

Transistor MOSFET ini memiliki suhu operasi minimum -55 °C dan maksimum 150 °C.

Jika Anda perlu memperkuat atau beralih di antara sinyal dalam desain Anda, maka MOSFET daya SIHF10N40D-E3 Vishay adalah untuk Anda.
 

Spesifikasi Teknis Produk

RoHS Uni Eropa Sesuai
ECCN (AS) EAR99
Status Bagian Aktif
HTS 8541.29.00.95
Otomotif Tidak
PPAP Tidak
Kategori Produk MOSFET daya
Konfigurasi Lajang
Modus Saluran Peningkatan
Jenis Saluran n
Jumlah Elemen per Chip 1
Tegangan Sumber Drain Maksimum (V) 400
Tegangan Sumber Gerbang Maksimum (V) ±30
Tegangan Ambang Gerbang Maksimum (V) 5
Arus Drain Terus Menerus Maksimum (A) 10
Arus Kebocoran Sumber Gerbang Maksimum (nA) 100
IDSS Maksimum (uA) 1
Resistansi Sumber Drain Maksimum (MOhm) 600@10V
Biaya Gerbang Khas @ Vgs (nC) 15@10V
Biaya Gerbang Khas @ 10V (nC) 15
Kapasitansi Input Khas @ Vds (pF) 526@100V
Disipasi Daya Maksimum (mW) 33000
Waktu Musim Gugur Khas (ns) 14
Waktu Naik Khas (ns) 18
Waktu Tunda Pemutaran Umum (ns) 18
Waktu Tunda Penyalaan Umum (ns) 12
Suhu Operasi Minimum (°C) -55
Suhu Operasi Maksimum (°C) 150
Paket Pemasok KE-220FP
Jumlah Pin 3
Nama Paket Standar KE-220
pemasangan Melalui Lubang
Paket Tinggi 16.12 (Maks)
Panjang Paket 10.63 (Maks)
Lebar Paket 4.83 (Maks)
PCB berubah 3
tab tab
Bentuk Timbal Melalui Lubang
Nomor bagian SIHF10N40D-E3
Nomor bagian dasar SIHF10N40
RoHS Uni Eropa Sesuai dengan Pengecualian
ECCN (AS) EAR99
Status Bagian Aktif
HTS 8541.29.00.95

 

N Channel Transistor Semikonduktor Diskrit MOSFET Daya SIHF10N40D-E3

N Channel Transistor Semikonduktor Diskrit MOSFET Daya SIHF10N40D-E3

 

 

 

 
 

 

Lebih banyak nomor bagian untuk Semikonduktor Umum:

Nomor bagian MFG Jenis Paket
JW1060 JuWell SOP8-E
SL1053 SILAN SOP8
ST8550D ST KE-92
SS8050DBU ST KE-92
PC847 ANAK FAIR DIP-16
PC817A ANAK FAIR DIP-4
PC123F TAJAM DIP-4
OB2353 OB SOP-8
NE555P ST DIP-8
MC34063 PADA SOP-8
LM7806 ST KE-220
LM78051A ST SOP
LM358 ST SOP-8
LM339 ST SOP
LM324 ST SO-14 (SMD)
LM2575T ST KE-220
LM 7815 ST KE-220
LL4148-GS08 ST LL34
L7812CV ST KE-220
KA78M09 ANAK FAIR UNTUK-252
IRFZ44V2A IR KE-220
IRFP460 IR KE-247
IRF840 IR KE-220
HEF4013 PHILIPS SOP-14
FQPF12N60C ANAK FAIR KE-220F
DTC143ZUAT106 ROHM SOT-323
DINS4 SHINDENGEN DIP-2
IRFR9024N IR KE-252N
BAV99 Philip SOT-23
BA033ST ROHM SOT252
AM5888SL/F AMTEL HSOP-28
93LC66B MIKROCHIP DIP-8
93LC46 MIKROCHIP DIP-8
93C46B MIKROCHIP SOP-8
78L05 ST KE-92
78L05 ST SOT89
74HC4066D Philip SMK
74HC4066 PHILIPS SO-14
74HC164 Philip SOP
24LC128 MIKROCHIP DIP-8
24LC08B MIKROCHIP DIP-8
1N5822-B dioda termasuk LAKUKAN-201AD
MC1413DR2G ON Semikonduktor SOP-16
HEF4069 Philip SO-14 (MOTOROLA)
Kirim RFQ
Saham:
MOQ:
10