BWCD24L-04G BWCD24M-08 BWCK1EZH-32G-X BWCL1EZC-32G-X BWCK1EZC05-64G BWCK1KZC02-64G Chip IC EPOP LPDDR4X Untuk Perangkat Cerdas Pakai AR/VR
BWCD24L-04G BWCD24M-08 EPOP LPDDR4X IC Chips Untuk Smart Wear AR/VR
BWCD24L-04G
BWCD24M-08G
BWCK1EZH-32G-X
BWCL1EZC-32G-X
BWCK1EZC05-64G
BWCK1KZC02-64G
ePOP menggabungkan MMC dan Mobile LPDDR dalam satu paket, dengan kapasitas yang berbeda.termasuk penggilingan wafer lanjutan, teknik laminasi dan wirebonding, BIWIN mengintegrasikan RAM dan ROM dalam satu perangkat yang tidak hanya meningkatkan kinerja dan efisiensi energi,tapi juga menghemat ruang pada papan sirkuit cetak (PCB), sehingga memperpendek waktu pengembangan untuk pelanggan.
ePOP adalah solusi ideal untuk perangkat portabel dan wearable, seperti smartphone, tablet, PMP, PDA dan perangkat media lainnya.
Aplikasi:
Smart Wear
AR/VR
Deskripsi:
ePoP LPDDR4X mengintegrasikan LPDDR4X DRAM dan penyimpanan eMMC 5.1 ke dalam solusi Paket-on-Package (PoP) dengan paket FBGA 144-bola. Dengan ukuran kompak hanya 8,00 x 9,50 mm, ia mencapai kecepatan membaca dan menulis berurutan hingga 290 MB / s dan 140 MB / s, dengan frekuensi hingga 4266 Mbps. BIWIN ePoP LPDDR4X menawarkan kapasitas hingga 64 GB + 32 Gb. Ini adalah solusi penyimpanan generasi berikutnya yang dirancang untuk jam tangan pintar kelas atas. Dibandingkan dengan generasi sebelumnya, solusi ini memiliki peningkatan frekuensi 128,6%, pengurangan ukuran 32%, dan disertifikasi oleh platform Qualcomm 5100.
Spesifikasi:
| Antarmuka | eMMC: eMMC 5.0 / eMMC 5.1 |
| LPDDR 2 / LPDDR 3: 32bit | |
| LPDDR 4 / LPDDR 4x: 16bit | |
| Dimensi | 10.0 × 10,00 mm (136b) |
| 8.00 × 9,50 mm (144b) | |
| 8.60 × 10,40 mm (144b) | |
| 12.00 × 13.00 mm (320b) | |
| Max. Bacaan berurutan | eMMC: 320 MB/s |
| Max. Menulis berurutan | eMMC: 260 MB/s |
| Frekuensi | LPDDR 2 / LPDDR 3: 1200 MHz |
| LPDDR 4x: 1200 MHz - 1866 MHz | |
| Kapasitas | 4 GB + 4 GB |
| 8 GB + 4 GB / 8 GB + 8 GB | |
| 16 GB + 8 GB | |
| 32 GB + 16 GB | |
| 64 GB + 16 GB | |
| Tegangan Kerja | eMMC: VCC=3,3 V, VCCQ=1,8 V |
| LPDDR 2 / LPDDR 3: VDD1 = 1,8 V, VDD2 = VDDCA = VDDQ = 1,2 V | |
| LPDDR 4: VDD1 = 1,8 V, VDD2 = VDDQ = 1,1 V | |
| LPDDR 4x: VDD1 = 1,8 V, VDD2 = 1,1 V, VDDQ = 0,6 V | |
| Suhu Kerja | -20°C - 85°C |
| Platform Verifikasi yang Disetujui | SnapDragon Wear 3100 / 5100 |
| MSM8909W... | |
| Kemasan | FBGA136 / FBGA144 / FBGA320 |
| Aplikasi | Smart Wear AR/VR |
Memori flash yang paling terkait IC:
| BWCMAQB11T08GI |
| BWCMAQB11T16GI |
| BWEFMI032GN2RJ |
| BWEFMI064GN223 |
| BWEFMI128GN223 |
| BWEFMA064GN1KC |
| BWEFMA128GN1KC |
| BWMZAX32H2A-16GI-X |
| BWMZCX32H2A-32GI-X |
| BWMEIX32H2A-48GI-X |
| BWMZCX32H2A-64GI-X |
| BWLGYA002GN6ZA |
| BWLGYA004GN6ZC |
| BWLGYA006GN6EI |
| BWLGYA008GN6ZC |
BWET08U -XXG SPI (Serial Peripheral Interface) NAND Flash IC Untuk Smart Wear Networking
BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G LPDDR IC Untuk Smartphone
DMMC BGA132 / BGA152 / TSOP48 IC Untuk Dalam Kendaraan / Ponsel Pintar / Game
BWS3BTCDC-60G BWS3BTCDC-120G BGA SSD Flash IC Untuk Mobil / Laptop
UFB2750K60N UFB2752Q12N-32G UFB2752Q12N-64G UFB2752Q12N-128G
BWCC2KD6-32G ((32GB+32Gb) BWCC2KD6-64G ((64GB+32Gb) BWMA24B-XXGC EMCP IC
| Gambar | Bagian # | Keterangan | |
|---|---|---|---|
|
|
BWET08U -XXG SPI (Serial Peripheral Interface) NAND Flash IC Untuk Smart Wear Networking |
The industrial-grade SLC NAND Flash storage, makes up for the low capacity, high price and low speed of SPI NOR Flash
|
|
|
|
BWME8X32H2A-24Gb BWMYAX32P8A-32G BWMYAX32P8A-64G LPDDR IC Untuk Smartphone |
LPDDR (stands for Low Power Double Data Rate) SDRAM is a kind of DDR, being mainly characterized by its Low Power consum
|
|
|
|
DMMC BGA132 / BGA152 / TSOP48 IC Untuk Dalam Kendaraan / Ponsel Pintar / Game |
DMMC solution adopts a highly integrated design by adding a low-power controller to the NAND flash
|
|
|
|
BWS3BTCDC-60G BWS3BTCDC-120G BGA SSD Flash IC Untuk Mobil / Laptop |
eSSD is an embedded solid state driver solution designed in the form of TFBGA packaging
|
|
|
|
UFB2750K60N UFB2752Q12N-32G UFB2752Q12N-64G UFB2752Q12N-128G |
BIWIN UFS Chips is a next-generation embedded memory chip
|
|
|
|
BWCC2KD6-32G ((32GB+32Gb) BWCC2KD6-64G ((64GB+32Gb) BWMA24B-XXGC EMCP IC |
BIWIN eMCP Chips is based on MCP (Multi-Chip Packaging) which integrates an eMMC chip and a low-power DRAM solution into
|